Сейчас читают

Найден материал для создания искусственного мозга

Опубликовано 19 июнь 2021.

Наиболее перспективным сегнетоэлектрическим материалом для тонкопленочных искусственных синапсов является оксид гафния, выяснили ученые.

Исследователи поняли, что для изготовления искусственных синапсов — структур, обеспечивающих контакт между нейронами, — удобны тонкопленочные структуры толщиной в несколько атомов. Они имеют малые размеры, высокую плотность и низкое энергопотребление.

Оксид гафния идеально подходит для этих целей, поскольку прекрасно осаждается из газовой среды с использованием современных методов создания тонкопленочных структур с высокой точностью, а процесс проходит под надежным контролем. Температуры при создании пленок совместимы с техпроцессами КМОП (CMOS) и не сожгут элементы чипа в процессе изготовления микросхем.

Другой удачный аналог удалось создать ученым из Великобритании. Специалисты из Кембриджского университета разработали похожий на паучий шелк материал, который может стать заменой одноразовому пластику.

Новости СМИ2